IPD80R600P7ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD80R600P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD80R600P7ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +150 °C |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |