IPD90N04S403ATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90N04S403ATMA1 द्वारा Infineon और IPD90N06S404ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD90N04S403ATMA1 | IPD90N06S404ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 90 A | — |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 94 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| MSL स्तर | MSL1 (peak reflow up to 260C) | MSL1 |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche-tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Package) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V |
| Operating Temperature (TJ max) | — | 175 °C |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C (MSL1) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (Green Product) |
| Polarity | — | Single N-Channel |