IPD90N04S403ATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD90N04S403ATMA1 מאת Infineon ו IPD90N06S404ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD90N04S403ATMA1 | IPD90N06S404ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 90 A | — |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 94 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| מארז | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| רמת MSL | MSL1 (peak reflow up to 260C) | MSL1 |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche-tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Package) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V |
| Operating Temperature (TJ max) | — | 175 °C |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C (MSL1) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| סטטוס RoHS | — | Compliant (Green Product) |
| Polarity | — | Single N-Channel |