IPD90N04S403ATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD90N04S403ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD90N06S404ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD90N04S403ATMA1 IPD90N06S404ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
پیکیج PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
MSL لیول MSL1 (peak reflow up to 260C) MSL1
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Green Product)
Polarity — Single N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں