IPD90N06S407ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90N06S407ATMA2 द्वारा Infineon और IPD30N10S3L34ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD90N06S407ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D at T_C) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A 6.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 4 V at 40 uA —
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V 56 nC —
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) 79 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
पैकेज PG-TO252-3-11 (DPAK) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Green Product) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 57 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 31 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max — 2.4 V
Total Gate Charge (Qg) max — 31 nC
Package / Supplier Device Package — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin / Tab Count — 3 (2 + Tab)
Technology — OptiMOS-T (trench)
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS स्थिति — Compliant

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