IPD90N06S407ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD90N06S407ATMA2 bằng Infineon và IPD30N10S3L34ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD90N06S407ATMA2 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D at T_C) | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 180 A |
| R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A | 6.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 4 V at 40 uA | — |
| Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V | 56 nC | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) | 79 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| Hộp | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Product) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 57 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 31 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | — | 2.4 V |
| Total Gate Charge (Qg) max | — | 31 nC |
| Package / Supplier Device Package | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin / Tab Count | — | 3 (2 + Tab) |
| Technology | — | OptiMOS-T (trench) |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |