IPN60R360P7SATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN60R360P7SATMA1 द्वारा Infineon और IPB60R280P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 ✓ सक्रिय
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPN60R360P7SATMA1 IPB60R280P7ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C (TJ) -55 °C to +150 °C (T_j max)
पैकेज PG-SOT223 (Surface Mount) PG-TO263-3 (D2PAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
पिन काउंट 3 functional + tab (PG-SOT223) 3 (2 + Tab)
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Configuration — Single N-Channel
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

डेटाशीट और संसाधन

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