IPT015N10N5ATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT015N10N5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC021N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 - 100V 300A 1.5mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

IPT015N10N5ATMA1 - 100V 300A 1.5mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

IPT015N10N5ATMA1 ✓ सक्रिय
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BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPT015N10N5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT015N10N5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 (N-channel trench)
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
पैकेज PG-HSOF-8-1 (TOLL) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
ऑपरेटिंग तापमान -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Pb-free)
Packaging Tape & Reel —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 226 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 2.1 mΩ
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) — 214 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
Total Gate Charge Q_G typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
R_thJC thermal resistance max — [DATA_NEEDED: R_thJC]
MSL स्तर — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Delivery Form — Tape & Reel (T&R)

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