IPTG025N15NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPTG025N15NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISZ072N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPTG025N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTG025N15NM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPTG025N15NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 264 A (pulsed) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 395 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ | 2.5 mOhm at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| पैकेज | PG-HSOG-8-1 (TOLG) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Solder Joint Reliability | Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| MSL स्तर | — | 1 |