IQD005N04NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQD005N04NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC151N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 - 40V 0.5mΩ N-Ch MOSFET PG-TSON-8-9 | Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQD005N04NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 58 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 610 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.5 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| पैकेज | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| पिन की संख्या | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 °C to +175 °C |