IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE008N03LM5SCATMA1 द्वारा Infineon और IQE012N03LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| पैकेज | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |