IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE008N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE012N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| پیکیج | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |