IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE008N03LM5SCATMA1 द्वारा Infineon और IQE036N08NM6CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| पैकेज | PG-WHSON-8 (Source-Down) | — |
| Configuration | Single N-Channel | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| पैकेज / केस | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |