IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE008N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE036N08NM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| پیکیج | PG-WHSON-8 (Source-Down) | — |
| Configuration | Single N-Channel | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |