IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE020N04LM6CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQDH35N03LM5SCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE020N04LM6CGSCATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | 166 A | — |
| Maximum RDS(on) | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 107 W | — |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| पिन काउंट | 9 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) | -55 C to +175 C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) | 1 (unlimited) |
| Technology | OptiMOS 6 trench | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |