IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE020N04LM6CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQDH35N03LM5SCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQE020N04LM6CGSCATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | 166 A | — |
| Maximum RDS(on) | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 107 W | — |
| מארז | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| מספר פינים | 9 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) | -55 C to +175 C |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) | 1 (unlimited) |
| Technology | OptiMOS 6 trench | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |