IQE036N08NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE036N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IQE036N08NM6CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE036N08NM6ATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | 125 W |
| पैकेज | PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C (junction, per datasheet) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse, per datasheet) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |