IQE036N08NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQE036N08NM6ATMA1 توسط Infineon و IQE036N08NM6CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IQE036N08NM6ATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | 125 W |
| بسته‌بندی | PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +150°C (junction, per datasheet) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse, per datasheet) | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |