IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE036N08NM6CGATMA1 द्वारा Infineon और IQE036N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQE036N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (junction, Tj) | -55°C to +150°C (junction, per datasheet) |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 118 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse, per datasheet) |