IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE036N08NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE036N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQE036N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | 2.5 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (junction, Tj) | -55°C to +150°C (junction, per datasheet) |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 118 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse, per datasheet) |