IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQEH68NE2LM7UCGATMA1 द्वारा Infineon और ISZ230N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL Level] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |