IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH68NE2LM7UCGATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ230N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL Level] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |