IQFH55N04NM6ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQFH55N04NM6ATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQFH55N04NM6ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C | 53 A | — |
| Pulsed Drain Current @ TC=25°C | 451 A | — |
| Static R_DS(on) (typ) | 0.55 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 214 W | — |
| पैकेज | PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |