IQFH55N04NM6ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQFH55N04NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQFH55N04NM6ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C | 53 A | — |
| Pulsed Drain Current @ TC=25°C | 451 A | — |
| Static R_DS(on) (typ) | 0.55 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 214 W | — |
| پیکیج | PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |