IRF1310NSTRLPBF vs IRFB4310PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF1310NSTRLPBF द्वारा Infineon और IRFB4310PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF1310NSTRLPBF | IRFB4310PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | 7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | 170 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज | D2PAK (TO-263AB) | TO-220AB (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 5.6 mOhm |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (Pb-free PBF suffix) |