IRF3205STRLPBF vs IRLL024ZTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF3205STRLPBF द्वारा Infineon और IRLL024ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF3205STRLPBF | IRLL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 110 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 390 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | 8 mΩ max @ Vgs=10V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 97.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 200 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| पैकेज | TO-263-3 (D2PAK) | SOT-223 (TO-261-4) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (advanced process) | HEXFET Power MOSFET (trench-gate) |
| Packaging | Tape & Reel (STRL) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 55 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 60 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 1 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited floor life) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |