IRF3205STRLPBF vs IRLL024ZTRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF3205STRLPBF bằng Infineon và IRLL024ZTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF3205STRLPBF | IRLL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 110 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 390 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | 8 mΩ max @ Vgs=10V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 97.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 200 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Hộp | TO-263-3 (D2PAK) | SOT-223 (TO-261-4) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (advanced process) | HEXFET Power MOSFET (trench-gate) |
| Packaging | Tape & Reel (STRL) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 55 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 60 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 1 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| Cấp MSL | — | 1 (unlimited floor life) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |