IRF5305STRLPBF vs IRLZ34NSTRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF5305STRLPBF द्वारा Infineon और IRLZ34NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF - 55V 30A N-Ch HEXFET MOSFET, D2PAK | Infineon

IRLZ34NSTRLPBF - 55V 30A N-Ch HEXFET MOSFET, D2PAK | Infineon

IRLZ34NSTRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF5305STRLPBF IRLZ34NSTRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
RDS(on) max at VGS=-10V 60 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) 16.7 nC
Maximum Power Dissition at Tc 110 W —
Maximum Power Dissipation at TA 3.8 W —
पैकेज TO-263 / D2PAK (surface mount) D2PAK (TO-263), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology HEXFET (fifth generation), IR MOSFET —
Packaging Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix PBF) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 110 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V drive compatible)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)
Qualification — JEDEC standard
RoHS स्थिति — Compliant (Pb-free)

डेटाशीट और संसाधन

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