IRF5305STRLPBF vs IRLZ34NSTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF5305STRLPBF bằng Infineon và IRLZ34NSTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF - 55V 30A N-Ch HEXFET MOSFET, D2PAK | Infineon

IRLZ34NSTRLPBF - 55V 30A N-Ch HEXFET MOSFET, D2PAK | Infineon

IRLZ34NSTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF5305STRLPBF IRLZ34NSTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
RDS(on) max at VGS=-10V 60 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) 16.7 nC
Maximum Power Dissition at Tc 110 W —
Maximum Power Dissipation at TA 3.8 W —
Hộp TO-263 / D2PAK (surface mount) D2PAK (TO-263), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology HEXFET (fifth generation), IR MOSFET —
Packaging Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix PBF) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 110 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V drive compatible)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)
Qualification — JEDEC standard
Trạng thái RoHS — Compliant (Pb-free)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá