IRF640NPBF vs IRF1310NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF640NPBF द्वारा Infineon और IRF1310NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF640NPBF | IRF1310NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM value] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | 73.3 nC |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | HEXFET |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement Mode | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | TO-220AB (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs value] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C |