IRFR024NTRPBF vs IRLL024NTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR024NTRPBF द्वारा Infineon और IRLL024NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR024NTRPBF | IRLL024NTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Product Series | HEXFET Power MOSFET (5th generation) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (at TC = 25 C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | 4.4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 45 W (at TC = 25 C) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount | SOT-223 (4-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free / PbF terminations) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| FET Type | — | MOSFET, Metal Oxide |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 3.1 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.065 ohm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 10.4 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic Level (5 V drive capable) |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 1.0 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |
| Technology | — | HEXFET Power MOSFET |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |