IRFR1205TRPBF vs IRLR2705TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR1205TRPBF द्वारा Infineon और IRLR2705TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR1205TRPBF | IRLR2705TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant (PBF suffix = lead-free) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET (HexFET) |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 68 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free, RoHS Compliant |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) |