IRFR1205TRPBF vs IRLR2705TRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR1205TRPBF bằng Infineon và IRLR2705TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF - 55V N-Channel HexFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR2705TRLPBF - 55V N-Channel HexFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR2705TRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR1205TRPBF IRLR2705TRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR MOSFET (HEXFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC —
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET (HexFET)
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 40 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 68 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Configuration — Single N-Channel
Cấp MSL — 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá