IRFR120NTRPBF vs IRFL014NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR120NTRPBF द्वारा Infineon और IRFL014NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET 1.9A SOT-223 | Infineon

IRFL014NTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET 1.9A SOT-223 | Infineon

IRFL014NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR120NTRPBF IRFL014NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 210 milliohms at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V typical —
Total Gate Charge (Qg) typical 16.7 nC —
Gate-to-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55C to +175C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) HEXFET (planar N-channel, fifth generation)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max [DATA_NEEDED: RthJC] —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Continuous Drain Current (ID) at 25 C — 1.9 A
Continuous Drain Current (ID) at 70 C — [DATA_NEEDED: ID at 70 C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 160 milliohm
Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typical — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at 25 C — 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Yes (dynamic dv/dt rated)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
MSL स्तर — Level 1 (per JEDEC J-STD-020)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध