IRFR220NTRLPBF vs IRFR220NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR220NTRLPBF द्वारा Infineon और IRFR220NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 5 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.800 ohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] 15 nC (typical per Mouser listing)
Gate-to-Drain Charge (Qgd) Low (per datasheet - HEXFET design) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 43 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) —
पैकेज TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 TO-252AA (DPAK), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Packaging Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Technology Family HEXFET, Planar, Generation 3 —
FET Type — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55°C to +150°C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

डेटाशीट और संसाधन

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