IRFR4105TRPBF vs IRFR3710ZTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR4105TRPBF द्वारा Infineon और IRFR3710ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR4105TRPBF | IRFR3710ZTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (5th generation IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | 27 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | 45 milliohm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | 20 V | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | 22.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | 68 W | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free, PBF suffix) | Compliant |
| Packaging Type | Tape and Reel (TRPBF) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Avalanche Energy (E_AS) | [DATA_NEEDED: E_AS rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 140 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Lead-Free | — | Yes |