IRFR5305TRPBF vs IRFR1205TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR5305TRPBF द्वारा Infineon और IRFR1205TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR5305TRPBF IRFR1205TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A 44 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
MSL स्तर 1 —
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध