IRFR5305TRPBF vs IRFR1205TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR5305TRPBF bằng Infineon và IRFR1205TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR5305TRPBF IRFR1205TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A 44 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +175 C —
Hộp TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Cấp MSL 1 —
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá