IRFU5305PBF vs IRF5305PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFU5305PBF द्वारा Infineon और IRF5305PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFU5305PBF IRFU5305PBF - -55V P-Ch HEXFET MOSFET, 31A, IPAK | Infineon

IRFU5305PBF - -55V P-Ch HEXFET MOSFET, 31A, IPAK | Infineon

IRFU5305PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF5305PBF IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFU5305PBF IRF5305PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 42 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
पैकेज IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes (EAS rated) —
RoHS Compliance Compliant —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 110 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 60 mOhm (typical)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A — [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Turn-On Delay Time (td(on)) — [DATA_NEEDED: td(on)]
Turn-Off Delay Time (td(off)) — [DATA_NEEDED: td(off)]
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA]
Lead-Free Plating (PBF suffix) — Yes (Pb-free)
RoHS स्थिति — Compliant
Technology — HEXFET (planar DMOS)

डेटाशीट और संसाधन

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