IRLB4030PBF vs IRLR120NTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLB4030PBF द्वारा Infineon और IRLR120NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLB4030PBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 87 nC | 13.3 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 370 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज | TO-220AB | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET family) | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Logic Level Drive | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) | — |
| Qualification | JEDEC | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| MSL स्तर | — | 1 |