IRLR2705TRLPBF vs IRFR5305TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR2705TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR5305TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR2705TRLPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET (HexFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 28 A | 31 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) | -2 V to -4 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 68 W | 110 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free, RoHS Compliant | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| MSL स्तर | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | 1 |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |