IRLR3636TRLPBF vs IRLR3410TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR3636TRLPBF द्वारा Infineon और IRLR3410TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR3636TRLPBF | IRLR3410TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | Yes (PBF suffix) |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 105 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | Logic-level (drive ~4.5V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22.7 nC |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| Drain Tab Connection | — | Tab electrically tied to Drain |
| Polarity | — | N-Channel enhancement mode |