ISC009N03LF2SATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC009N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon और ISZ056N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISC009N03LF2SATMA1 - 30V 341A 0.9mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
ISC009N03LF2SATMA1 ✓ सक्रियInfineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC009N03LF2SATMA1 | ISZ056N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS™ trench | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 43 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 341 A | 72 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | 52 W |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | 2.35 V (typ) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) | -55 C to +175 C |
| Gate Drive Voltage (VGS) | 10 V (typical for rated RDS(on)) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | StrongIRFET 2 |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 5.6 mOhm |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |