ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC009N06LM5ATMA1 द्वारा Infineon और ISC016N08NM8ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISC009N06LM5ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 8 (silicon)
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc]
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C -55 C to +150 C (junction)
पैकेज PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Series — OptiMOS 8
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V (typical rating)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 268 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 263 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 1.6 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (per Infineon product page)

डेटाशीट और संसाधन

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