ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC009N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC016N08NM8ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC009N06LM5ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 8 (silicon)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc]
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55 C to +150 C (junction)
پیکیج PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Product Series — OptiMOS 8
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V (typical rating)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 268 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 263 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 1.6 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں