ISC016N08NM8SCATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC016N08NM8SCATMA1 द्वारा Infineon और IQE036N08NM6CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISC016N08NM8SCATMA1 - 80V OptiMOS 8 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC016N08NM8SCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC016N08NM8SCATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 8 | OptiMOS 6 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current at TA=25°C (ID) | 29 A | — |
| Continuous Drain Current at TC=25°C (ID) | 269 A | — |
| Power Dissipation at TC=25°C (PD) | 263 W | — |
| पैकेज | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC, 5x6 mm) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 8 (shield-gate trench) | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg @ VGS=10V] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain Tab Connection | Top + bottom exposed (dual-side cooling) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |