ISC080N10NM6ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC080N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon और BSC023N08NS5SCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISC080N10NM6ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
पैकेज PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध