ISC080N10NM6ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC080N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC023N08NS5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC080N10NM6ATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | — |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |