ISC080N10NM6ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC080N10NM6ATMA1 توسط Infineon و BSC023N08NS5SCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC080N10NM6ATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دستهبندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | — |
| بستهبندی | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | — |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |