ISZ15EP15LMATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ15EP15LMATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N04NM7VATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ15EP15LMATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | -150 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 1500 mOhm @ VGS = -10 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 820 mA | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 2.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26.3 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Technology | OptiMOS trench-gate | Trench MOSFET, silicon |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8 (source-down) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | Tape and Reel (T&R) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |